垂直芯片制备步骤中,晶片键合(wafcr bonding)、激光剥离(lascr liR-off)是制备垂直结构GaN基LED的关键工艺,也是垂直结构与目前LED芯片主流制程(正装、倒装)的重要差异。键合技术与激光剥离技术相结合, K3953M能够通过将GaN基LED芯片从蓝宝石衬底转移到其他高电导率、高热导率衬底,用于解决蓝宝石衬底给GaN基LED带来的不利影响P5^2刨。图午39给出了晶片键合和激光剥离的流程图。

   如图4-39中(a)~(d)所示,首先利用晶片键合的方法将G瘀夕卜延片与转移衬底键合在一起,Au作为键合金属层,通过热压实现G扒材料与衬底结合,键合温度300~5OO℃。再利用GaN材料高温分解特性及GaN与蓝宝石间的带隙差,采用光子能量大于C.aN带隙而小于蓝宝石带隙的紫外脉冲激光,透过蓝宝石衬底辐照GaN材料,在其界面处产生强烈吸收,使局部温度升高,GaN气化分解,实现蓝宝石衬底剥离。选择合适的能量密度,使高温区集中于界面附近是实现高效、低损伤激光剥离的重要因素。另外,激光束的准直以及激光光斑的均匀性是实现成功剥离的保证。