光刻工艺的质量不仅影响器件的特性,而且对器件的成品率和可靠性也有很大影响,对光刻质量的要求是刻蚀的图形完整、尺寸准确、 HAT2189WP-EL-E边缘整齐;图形外氧化层上没有针孔,同时要求套合准确、无污点等。对氧化工艺过程的要求则是氧化层的厚度均匀,结构致密,与光刻胶的黏附良好,不易产生浮胶现象。对金属化工艺过程的要求则是与绝缘介质膜有良好的黏附性、层间接触电阻要小、无污点等。光刻过程中,常会出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷,影响栅氧和金属化的可靠性。

   浮胶是指显影或腐蚀过程中,由于化学试剂不断浸入光刻胶膜与S⒑2或其他薄膜间的界面,引起抗蚀剂胶膜皱起或剥落的现象。产生浮胶的原因有涂胶前硅片表面不清洁,沾有油污或水汽,使胶膜与硅片表面间沾润不良;光刻胶配制有误或胶液陈旧变质,胶的光化学反应性能不好,与硅片表面黏附能力差。前烘时间不足或过度;曝光不足,光化学反应不彻底,部分胶膜溶于显影液中,引起浮胶;显影时间过长;腐蚀时产生浮胶的原因有坚膜不足,胶膜没有烘透,黏附性差,在腐蚀液作用下引起浮胶;腐蚀液配比不当,如腐蚀sio的氢氟酸缓冲腐蚀液中氟化铵太少,腐蚀液活泼性太强;腐蚀温度太低或太

高,温度太低,腐蚀时间太长,腐蚀液穿透或从胶膜底部渗入,引起浮胶,温度太高,则腐蚀液活泼性强,也可能产生浮胶。