导线电极一般采用直接爬过沟槽的方法制造。高压LED的电极不仅要与n~GaN、p-GaN形成优良的欧姆接触,同时作为互联导线也要具有低的串联电阻, K4S561632H-UC75降低器件的工作电压,从而提高发光效率。GaN基LED的n型欧姆接触电极之前被广泛采用的材料是△/Al复合电极,由于Al材料的热稳定性很差,在高温下很容易球化或氧化,导致电极表面粗糙或形成电极表面氧化物,从而造成后续压焊掉电极或电极接触不良等现象,影响LED器件的电学特性。为了消除此现象,可以在TyAl电极基础上淀积T〃Au复合金属。由于Au很难被氧化,因此可以保护Al电极,而△层的作用是为防止Au层和Al层互扩散,影响电极的接触特性。Ⅱ/Al/Ti/Au电极的接触电阻率可做106~10:Ω2cm2。

   随着外延水平的提高,p型G溆的掺杂己经有所改善,但p型欧姆接触电极的制作仍然是决定GaN基LED电学特性的关键因素。目前,p型欧姆接触特性的提升主要依赖于表面处理技术、高功函数金属的选择,以及电极的后退火技术。№/Au复合金属层是现在普遍认同的p型欧姆接触电极材料,该体系与少C.aN接触电阻是目前所有金属体系中最低的,且经o2氛围退火后Ni/Au体系透射率较高,对4⒛um的光透射率达⒛%左右。如果p型表面使用了透明电极ITo作电流扩展层,p型和n型电极全用Cr/Au材料,这样n型、p型只整一次金属,大大节约了工艺成本。