高压LED未淀积电极前的结构图如图⒋47所示,若直接淀积电极,导线电极走过的路径如图中红色虚线部分, K4S560432E-TC75则导线经过多量子阱(MQW)区,会导致发光单元从内部短路,因此需要对器件侧壁进行绝缘层淀积,防止短路。高压LED制备工艺中,器件表面除ITo的部分都用sio2覆盖,由于隔离槽很深,淀积绝缘层也起到填充沟槽的作用,更加有利于后续电极的淀积。一般采用PECVD设备进行S⒑2的沉积,做为绝缘层材料。PECVD沉积技术具有生长温度低、沉积速度快等优点Dl]。由于作为侧壁的掩蔽层,S⒑2薄膜必须厚度均匀、无针孔和空隙,否则会产生漏电流。

   图⒋47 未蒸发电极前的高压LED结构图