当宽禁带材料和窄禁带材料交替生长,窄禁带材料在两宽禁带材料中间时就形成了双异质结量子阱结构,如图⒉11所示。由于窄禁带材料的导带底低于宽禁带材料导带底, L3G4200D价带顶高于宽禁带材料价带顶,因此电子和空穴会局域在量子阱内部。异质结量子阱的带阶一般大于圮Γ,防止量子阱内的载流子跃迁到量子阱外。

   对于LED等发光器件,双异质结量子阱具有很多优点。如量子阱内载流子复合发出的光能量等于或大于量子阱材料禁带宽度,远小于势垒层禁带宽度,因此势垒层光吸收很小;量子阱一般远离材料表面,其载流子浓度远高于材料表面,减小了表面缺陷引起的非辐射复合。由于带阶对载流子的限制作用,导带电子和价带空穴被局限在有限宽度的量子阱内,载流子注入效率和辐射复合效率也会随之升高。在双异质结量子阱结构中,多量子阱有源区的厚度￡z对LED内量子效率有重要影响。通常情况有源区厚度为几十到几百纳米,如果量子阱厚度大于载流子扩散长度,则双异质结量子阱结构将失去对载流子的限制作用;如果有源区厚度太小,在大电流注入下,载流子很容易逃逸出有源区。