随着外延水平的提高,p型G溆的掺杂己经有所改善,但p型欧姆接触电极的制作仍然是决定GaN基LED电学特性的关键因素。目前,p型欧姆接触特性的提升主要依赖于表面处理技术、高功函数金属的选择, K4S56163LF-ZG75以及电极的后退火技术。№/Au复合金属层是现在普遍认同的p型欧姆接触电极材料,该体系与少C.aN接触电阻是目前所有金属体系中最低的,且经o2氛围退火后Ni/Au体系透射率较高,对4⒛um的光透射率达⒛%左右。如果p型表面使用了透明电极ITo作电流扩展层,p型和n型电极全用Cr/Au材料,这样n型、p型只整一次金属,大大节约了工艺成本。

   蓝宝石衬底的绝缘性使器件的n、p接触电极位于同一侧,易引起电流拥挤效应。减小电流拥挤效应的有效办法之一便是生长电流扩展层,对实际的LED器件来说,接触电极的尺寸是有限的,而在电流扩展层电阻率一定的情况下,电极形状会影响电流在串联晶粒表面的电流扩展特性和电流密度。需要特别注意的是llp串联连接部分的电极设计,要保证足够的电极宽度和厚度,避免金属爬越深隔离槽时出现局部电流密度过高导致的击穿和 电极烧毁问题。