GaN基LED芯片制造过程中,隐形切FGA25N120ANTDTU割可以提高光提取效率,在芯片背面的蓝宝石衬底上镀上反射层金属也可以提高光提取效率,但是这两种技术较难结合起来,原因是激光切割对LED发光区有一定的损伤,如果从正面切入,若切割功率偏大,切割深度偏深,很容易造成芯片漏电,若切割功率偏小,切割深度偏浅,则在后续劈裂时难以将之裂开,造成双胞甚至多胞。所以一般激光束是从蓝宝石背面透射进来,如果在蓝宝石表面镀上反射层金属,则使得激光光束进入不了蓝宝石(一般隐形切割的激光波长是10znm或者35snm,都不能透过背面镀的金属膜)。因此,一般使用背面镀反射金属的技术在工艺上使用激光烧蚀的方式进行切割,然后用侧腐蚀工艺将芯片侧壁烧蚀留下的吸光残留物去除。

   相对于干法蚀刻而言,湿法蚀刻不会引入太多缺陷和损伤,并且成本低,可批量性生产。研究表明,其蚀刻速率与其外延生长的晶体质量强烈相关。因为GaN与蓝宝石大的晶格失配,在GaN外延层与蓝宝石衬底界面处的位错密度很高,造成其晶体质量不好,并且与界面越远的地方,其晶体质量越好。因此,临近GaN-蓝宝石界面的GaN湿法蚀刻速率比远离界面的要高,所以可以得到倾斜的侧边,对提高G瘀基LED的光功率有一定效果。