Hyt1n Kyu⒗m等的研究ul]是通过湿法腐蚀和选取外延生长改变了芯片的形状提高出光功率。 FM24C04A-G其制作过程如图5-29所示,首先用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma EnhanccdChemicd Vapor Dcposition,PECVD)在蓝宝石衬底上沉积1000A的Sio,然后用传统的光刻、蚀刻方式做出周期性分布的sio2六方柱,然后再此衬底上外延生长GaN基LED结构,外延生长完毕后,在外延片上再用PECVD法沉积3000A的s⒑2作为湿法蚀刻GaN的掩膜,再用2⒛℃的H2S04和HlPo4混合溶液(H2s04∶炖Po4=3∶1)进行湿法蚀刻,再用缓冲腐蚀液(btIffcr Oxidc etch,BOE)去除掩膜用的Sio,最后按照传统的工序完成芯片制作,得到具有内切侧壁空洞结构(overcut Sidcho1c血∝ture,Os)(以下简称oS结构)的LED器件,如图5-30所示,芯片尺寸是315um×315um。