- 与时间有关的栅介质击穿(TDDB)2016/6/25 22:51:49 2016/6/25 22:51:49
- 与时间有关的栅介质击穿(TDDB)。TCV应包含表征栅氧TDDB的结构。DAC08EQ应具有表征栅氧面积和周长的测试结构。应使用不同周长的栅结构,以表征栅与源或漏交叠边界,以及栅与晶体管和晶体管...[全文]
- 与时间有关的栅介质击穿(TDDB)2016/6/25 22:51:48 2016/6/25 22:51:48
- 与时间有关的栅介质击穿(TDDB)。TCV应包含表征栅氧TDDB的结构。DAC08EQ应具有表征栅氧面积和周长的测试结构。应使用不同周长的栅结构,以表征栅与源或漏交叠边界,以及栅与晶体管和晶体管...[全文]
- 贴装设备应具有贴装先进封装器件2016/6/24 22:50:06 2016/6/24 22:50:06
- 贴装设备应具有贴装先进封装器件、电路基E32-TC200F4板以及适应各种电路互连技术的能力,可扩展升级功能强,如精度、元器件装载、贴装工艺等对新型封装元器件有很好的覆盖能力。例如,在贴装焊球直...[全文]
- 理想再流焊是峰值温度与钎料熔融时问的最佳组合2016/6/24 22:45:26 2016/6/24 22:45:26
- 使PCB达到焊膏中钎料粉末熔点以上的“钎料熔化区”(以下简称“再流区”)是再流焊E32-TC200D接温度曲线的心脏区域。PCB上任何没有达到钎料合金熔点的位都将得不到钎接,而超过熔点太多的部位...[全文]
- 也可将同步助焊剂涂覆机与这些机器组合使用2016/6/24 22:40:06 2016/6/24 22:40:06
- 也可将同步助焊剂涂覆机与这些E32-TC200BR机器组合使用。此外,特别对于高产能情形,还可在焊接设备的前面安装一个独立的XY助焊剂涂覆模块。采用单或多焊料波峰形式的微波峰焊接工...[全文]
- 也可将同步助焊剂涂覆机与这些机器组合使用2016/6/24 22:40:06 2016/6/24 22:40:06
- 也可将同步助焊剂涂覆机与这些E32-TC200BR机器组合使用。此外,特别对于高产能情形,还可在焊接设备的前面安装一个独立的XY助焊剂涂覆模块。采用单或多焊料波峰形式的微波峰焊接工...[全文]
- 微型机2016/6/24 22:30:09 2016/6/24 22:30:09
- (l)微型机微型机设计的应用对象主要是科研院所、学校等研发部门。适应的生产范围是多品种、E32-D11小批量、小型化的新产品试制,无须固定操作者。这类机型的设计特点是波峰宽度通常小...[全文]
- 传统电子装联与现代电子装联的不同2016/6/24 22:25:38 2016/6/24 22:25:38
- 随着电子产品设计技术不断向轻、薄、短、小方向发展,元器件不断微细化,细间距PCB技术的大量应用,导致了电子装联工艺技术发生了革命性的变化。E32-CC200R传统的一把钳子、一把烙铁的手工装联方...[全文]
- 恒定应力加速寿命试验操作简单2016/6/23 22:07:57 2016/6/23 22:07:57
- 由上述讨论可知:(1)恒定应力加速寿命试验操作简单,但试验时间较长;(2)步进应力加速寿命试验和序进应力加速寿命试验能够有效缩短寿命试验时间,ADM1181AANZ但试验操作和数据分析比较复杂。...[全文]
- 电化学腐蚀2016/6/22 21:21:31 2016/6/22 21:21:31
- 电化学腐蚀。当集成Q20010-0035B电路工作于高温高湿环境中时,会产生电化学腐蚀。按铝电极是正电势还是负电势区分,电化学腐蚀分为阳极腐蚀和阴极腐蚀。阳极腐蚀时,铝电极是正电位,负离子(如C...[全文]
- 温度对NBTI效应的影响2016/6/21 23:02:02 2016/6/21 23:02:02
- 温度对NBTI效应的影响。NBTI退化是被热激活的,对温度十分敏感。NBTI退化在更高的温度下更严重。NBTI过程的激活能对可能的反应物质和所使用的氧化方法十分敏感,这种敏感的激活能对温度变化非...[全文]
- 平带时的负界面陷阱电荷2016/6/21 22:16:38 2016/6/21 22:16:38
- 在图5.17中阐述了表面电势占据界面陷阱的情况。在si/S02界面的界面陷阱的带隙中,OES040ZG-A在上面的部分是类比受主,在下面的部分是类比施主。因此,如图5.17(a)所示,平带是指电...[全文]
- 整个硅带隙中界面陷阱的能量分布具有电活性的缺陷2016/6/21 22:14:36 2016/6/21 22:14:36
- 键合的中心一原子轨道垂直于界面并指向上面氧化物中的一个空穴。在(10ωsi面上,4个四面体的Si⒏键方向以相同的角度与界面平面相交。OES033ZE-A两个缺陷名为PbI和PbO,通过电子自旋...[全文]
- HCI效应的数理模型2016/6/20 20:56:28 2016/6/20 20:56:28
- 研究表明,中等栅压应力下,氧化层陷阱电荷和界面态的产生是导致NMOs器件性能退化的主导因素。HB04U15S12QC当器件尺寸进入深亚微米节点之后,界面态的产生对NMOs器件性能退化的影响更为显...[全文]
- N阱及N+集电极形成2016/6/19 19:01:50 2016/6/19 19:01:50
- 高性能电容器也是模拟CMOs和Bi-CMOS技术的关键部分,特别在A/D转换和开关电容滤波器,ESD11N5.0ST5G多晶硅一多晶硅电容相比多晶硅一硅电容具有更小的寄生效应,因此得到广泛应用。...[全文]
- 高成本、高性能数字⒏-CMOS工艺 2016/6/19 18:48:05 2016/6/19 18:48:05
- 高成本、高性能数字Bi￡MOS工艺需要确保CMOs器件和双极型器件的性能均达到单独制造时的水平。EPM570T100I5N可以采用两种基本的方法修正P阱Bi-CMOS工艺,额外增加3个掩膜过程;...[全文]
- 低成本、中速数字⒏-CMOs工艺 2016/6/19 18:43:21 2016/6/19 18:43:21
- 最简单的低成本、中速数字Bi￡MOs工艺只需要向一个现有的N阱CMOs工艺额外增加一块用于形成轻掺杂的P型区域的掩膜版,该区域用做双极型晶体管的P型基极,CMOs的N阱做晶体管的集电极。EPF8...[全文]
- 半导体集成电路制造的环境要求2016/6/18 20:24:42 2016/6/18 20:24:42
- 为了控制沾污,半导体集成电路的制造都在净化间内完成,净化间除需要保持一定的净化级别外,OP213FSZ-REEL还需满足恒温、恒湿等环境要求。CMOS工艺是当今半导体制造的主流工艺,遵循摩尔定律...[全文]
- 多重缺陷类型2016/6/17 21:38:48 2016/6/17 21:38:48
- 集成电路的成品率要受许多类型缺陷影响,每种类型缺陷对不同电路的影响程度也各有差异。H-1-4-BNC例如,栅氧化层中的缺陷仅仅出现在晶体管的栅区,由氧化缺陷诱发的堆垛层错缺陷引起PN结漏电流,栅...[全文]
- 成品率=离开工艺过程的晶圆数2016/6/17 21:11:33 2016/6/17 21:11:33
- 要得到累计成品率,需要首先计算各工艺过程的成品率(Stationyidd),即以离开单一工艺的晶圆数进H12D4840D入此工艺过程的晶圆数:成品率=离开工艺过程的晶圆数/进入工艺过程的晶圆数将...[全文]
公网安备44030402000607
