上面的研究实例中纹理化图形密度非常高,单个图形的尺寸在纳米级别,如果将 FM24C512-G纹理化图形变小,使单个纹理化图形放大到几微米至十几微米,则上述的应力释放和量子限制斯达克效应缓解的程度明显会降低,此类纹理化主要是通过纹理化图形形成散射增加出光。GM。Wu等人u刨用光刻和ICP干法蚀刻制备了GaN基LED的表面点阵列结构,研究了表面点阵列结构提高LED光提取效率。如图5-35所示制备了3种不同形状的点阵列结构:方形、三角形和六角蜂窝状。测试PL光谱发现,当刻蚀深度10Ollm时,方形点阵列结构比平面结构LED的光强度提高了⒛8%。对此光强的提升,作者将之解释为周期性点阵结构会像图5-36所示一样因为表面点阵结构而使光线在表面发生多次散射,最终达到光提取的目的。