侧腐蚀工艺不仅仅是指将激光烧蚀的残留物湿法去除和将侧壁蚀刻成倒T形,也包括通过蚀刻改变芯片的外形。 FGL60N100BNTD有研究者uq在传统的LED样品制作流程完毕后,用800W的汞灯作为光增强化学腐蚀(photoelec“ochcmical,PEC)的光源,用Pt作为阴极,⒛V的正向电压作用在肛GaN上30min,然后用Hα∶比o=1△溶液溶解生成的Ga2o3,然后将之浸入gO℃温度、2.2M浓度的KoH溶液ωmin进行晶体学湿法蚀刻形成具有锥状侧壁的LED。

   其样品制作主要步骤示意图和sEM照片如图5-27所示,首先按照传统的芯片制备方法制备出侧壁竖直的LED样品,然后PEC作用下氧化和蚀刻,再用热KoH溶液腐蚀出锥状侧壁。

   通过PEC选择性氧化和湿法蚀刻,稳定并且可以控制的在p-GaN中形成{10丁T)面,在n~GaN中形成(101O)面,二者形成27°角[如图5-27(c)所示],相对传统结构LED,提高了光提取效率。如图5-28所示的z-J曲线和远场辐射光型图展示了经过上述PEC湿法蚀刻的样品在⒛IuA下提高了出光功率⒛%。