制作GaN基垂直结构LED的工艺主要分成以下几个步骤:表面处理、台面刻蚀、钝K2977M化层的淀积、P电极制作、转移衬底的制备、晶片键合、激光剥离、表面粗化、N电极制作、划片裂片以及封装等。垂直结构LED芯片的具体制备流程如图⒋38所示。

   图⒋38 垂直结构LED芯片制备流程

   以上工艺,使用的是整片键合技术,外延片与硅片键合过程中需要在较高温度、压力下完成,同时键合过程会产生较大应力,会对芯片造成一些不良影响。近期关于垂直结构LED芯片的工艺,Philips公司提出了单芯片键合激光剥离方案。单芯片键合工艺主要特点是先进行激光切割,将GaN切割成单颗晶粒再进行键合工艺,这样有利于后续的激光剥离,同时切割区域间的空隙可以释放剥离过程中产生的应力。另外也有公司提出,可以通过电镀方法转移衬底,并且已经实现了商业化量产。