正装结构GaN基LED
发布时间:2016/8/6 15:12:13 访问次数:946
正装结构GaN基LED,p-GaN层为出光面,由于该层较薄,不利于制作表面微结构。K1292但是对于垂直结构LED,n-GaN层为出光面,该层具有一定的厚度,便于制作表面微结构,以提高光提取效率⒓⒊2钊,如图⒋37所示为表面粗化的垂直结构LED示意图和其粗化表面
的SEM图。
总之,与传统平面结构相比,垂直结构在出光、有源区利用率、散热等方面具有明显的优势。
图⒋37 表面粗化的垂直结构LED示意图和其粗化表面的sEM图
正装结构GaN基LED,p-GaN层为出光面,由于该层较薄,不利于制作表面微结构。K1292但是对于垂直结构LED,n-GaN层为出光面,该层具有一定的厚度,便于制作表面微结构,以提高光提取效率⒓⒊2钊,如图⒋37所示为表面粗化的垂直结构LED示意图和其粗化表面
的SEM图。
总之,与传统平面结构相比,垂直结构在出光、有源区利用率、散热等方面具有明显的优势。
图⒋37 表面粗化的垂直结构LED示意图和其粗化表面的sEM图
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