金属有机化合物源,简称Mo源,亦称前A915AY-100M体或前驱体(precursOr)。GaN系列材料生长所常用到的Mo源主要有TMGa、TEGa、TMAl、TMIn、Cp2Mg、DMzn和DEZn等几种,其中Cp2Mg、DMzn和DEZn主要用作p型掺杂源。

   Mo源在室温下一般为液态或固态,具有适当并且稳定的蒸气压、适宜的热分解温度、不易与组合使用的其他的源发生预沉积反应、在源瓶中稳定,这些特点使得可以实现精确 外延生长。Mo源的这些特点,以及各种Mo源之间的物理性质差别,决定性因素在于Mo源中金属一碳键强度的不同。它决定了按自由基发生均相裂解反应时分子的稳定性,即化学键强度越弱,Mo源分解温度越低。金属一碳键的强度取决于金属原子本身(即电负性)和有机集团的尺寸与结构⒓到。图1△4中举例说明了上述两种因素对金属一碳键强度的影响。Ⅲ族金属元素(A1、Ga、In)的电负性随相对原子质量增加而减小,其键强也依次减小。对于同一元素,乙基化合物的金属一碳键强度弱于甲基化合物的。