- 智能照明中的传感器技术 2016/11/13 19:25:15 2016/11/13 19:25:15
- 传感器的主要功能是采集自然的物理量(如温度、照度和频率等),并将该物理量转换成电压或者电流不同的电信号,供处理器使用。K4D28163HD-TC50传感器是智能照明的核心组件。如果把灯具比喻为人...[全文]
- LED散热方法的选择2016/11/12 20:20:30 2016/11/12 20:20:30
- LED散热的方法一般分为风冷、热管、半导体KHU1S041F7LF制冷等技术,每一种散热方式在不同的应用领域拥有不同的优点与缺点,如何选择合理的散热方式是解决LED散热问题中首先要面临的问题。...[全文]
- 可靠性设计 2016/11/11 22:10:47 2016/11/11 22:10:47
- 近年来,随着LED光效的不断提升,LED的寿命和可靠性越来越受到业界的重视。寿RLS4148TE-17命是LED产品最重要的性能之一,而且寿命还是可靠性的终极表现。虽然LED的理论寿命很长,可靠...[全文]
- AsAP2016/11/10 22:20:37 2016/11/10 22:20:37
- ASAPTM全称为Adl,anccdS阝tcmAnalysisProgram,即高级系统分析程序。ASAP是由美国Brcau1tRcscarchhref="http://www.51dzw.co...[全文]
- 矩形光斑的光学系统设计2016/11/10 22:17:50 2016/11/10 22:17:50
- 矩形光斑的光学系统应用于大功率LED路灯的配光方案。现在大部分都是通过在单颗大功率LED上外置透镜或者反射杯即二次光学设计,HEF4011BT使目标面上的光场为照度分布满足照明要求的矩形斑。矩形...[全文]
- 进行LED二次配光设计2016/11/10 22:07:21 2016/11/10 22:07:21
- 目前,进行LED二次配光设计所使用HD7279A-SP的基本光学元件主要有透镜、反射镜和折光板等。LED二次配光设计所使用的基本光学元件。(1)透镜:透镜的作用是使光...[全文]
- COB封装2016/11/9 21:33:34 2016/11/9 21:33:34
- CoB是英文Chiphref="http://www.51dzw.com/stock_M/M3066.html">M3066热环氧树脂在基底表面覆盖硅片安放点,直接将LED芯片用焊料或粘胶剂粘贴...[全文]
- 灌胶封装2016/11/8 21:39:33 2016/11/8 21:39:33
- Lamp乇ED的封装采用灌封的形式,是制造发G2PM109NLF光二极管的重要工序,首先是在LED成型模腔内将发光二极管封在部分透明或全透明的液态环氧树脂中,然后插入压焊好的LED支架,放入烘箱...[全文]
- KIm等研究了正硅酸盐荧光体2016/11/7 21:31:45 2016/11/7 21:31:45
- KIm等研究了正硅酸盐荧光体Mc2so4∶0.01Eu2+(Mc=Ca,Sr,Ba)发射光谱的温度依赖特性。AD8604AR随温度升高,S。s⒑4∶Eu2+的两个发射带表现出正常的发射峰红移、发...[全文]
- 发光性质2016/11/7 21:03:39 2016/11/7 21:03:39
- YAG∶Cc3+材料的发光是因发光中心原子能级间跃迁的结果。Cc3+离子激活的稀土石榴石荧光体AD8561ARU的发光起源于受激电子从能量最低的5d激发态辐射跃迁至4f组态的℃”和乍s/o基态,...[全文]
- 表面粗化技术2016/11/6 18:00:21 2016/11/6 18:00:21
- 表面粗化技术是直接在LED芯片的出光面制作周期性表面微结构,以改变入射光角度,提高芯片的光提取效率。G2PM109NLF按照芯片结构的不同,常规的正装芯片通常在p型G瘀层或1TO透明电极层制作周...[全文]
- 蓝宝石衬底表面纳米压印流2016/11/6 17:53:58 2016/11/6 17:53:58
- 纳米压印技术(NIL,Nano-ImprintⅡthography)纳米压印技术突破了传统光刻在特种尺寸减小过程中的难题,具有分辨率高、G2PM109N-ALF低成本和高产率的特点...[全文]
- 半球形图形化衬底2016/11/6 17:42:53 2016/11/6 17:42:53
- 半球形蓝宝石衬底的制备流程如图5-36(a)所示。首先用G24101MKR等离子体化学气相沉积(PECVD,PlasmaEnhanccdCllc血calVaporDep∞ition)在平整的蓝宝...[全文]
- 超高真空化学气相沉积(UHⅥCVD)2016/11/4 21:31:09 2016/11/4 21:31:09
- 超高真空化学气相沉积技术发展于⒛世纪80年代末,是指在气压106Pa以下的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程,特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。H9TP32A4GDBCPR-KG...[全文]
- 气体供给系统前驱体反应气2016/11/4 21:30:06 2016/11/4 21:30:06
- 气体供给系统前驱体反应气,包括Ⅲ族金属有机化H9TP26A8JDACNR-KGM合物、V族氢化物及掺杂源等一般放置于不锈钢瓶中(见图5-12位置①)。反应室和加热系统MOCVD系统...[全文]
- 气相外延（VPE）2016/11/4 20:41:31 2016/11/4 20:41:31
- 气相外延本质上是一种化学气相沉积,是将含有构成外延薄膜元素的气态前驱物或液态前驱物的蒸汽通过载气传输到反应室内,在维持一定高温的衬底表面上H9DP32A4JJACGR-KEM通过热分解与化学反应...[全文]
- 半导体晶体结构与性质2016/11/4 20:35:03 2016/11/4 20:35:03
- 固体材料的存在形式一般可分为非晶(alnorphous)、多晶.(po1ycγstalline)和单晶(sing忆cγstal)°理想的单晶材料具有完整的原子或分子的周期性排列,整个单晶材料在三...[全文]
- 发光二极管典型材料 2016/11/3 21:36:57 2016/11/3 21:36:57
- 半导体中的电子能够吸收一定的外部能量而从低能级向高能级跃迁。处于激A1186N发态的电子在跃迁回较低能级,并以光辐射的形式释放出能量。整个发光现象可分为三个过程:价带...[全文]
- 组成化合物半导体的化学元素 2016/11/3 21:34:28 2016/11/3 21:34:28
- 表5.2给出了典型的元素半导体和二元化合物半导体及其在300K时的禁带宽度。禁带G16V8L25BHY/VC宽度(带隙)是半导体一个重要的特征参量,其大小取决于半导体的能带结构。对于C、si、G...[全文]
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