- 抗静电特性2016/11/3 21:00:48 2016/11/3 21:00:48
- 静电主要由摩擦或感应产生的,静电放电(Elcc饣o-staticDls曲argc,EsD)损伤是半导体器件面临的一个基本问题,LED亦不例外。LED在制造、筛选、测试、包装、储运及...[全文]
- 陶瓷C08封装的LED器件的主要参数及体热阻值2016/11/3 20:55:38 2016/11/3 20:55:38
- 需要注意的是上述讨论中没有考虑扩展热阻的影响,在热沉尺寸远大于LED芯片的条件下扩展热阻的影响不可忽略。AN17882A扩展热阻模型如图⒋36所示,热源尺寸小于散热器尺寸时,热源热...[全文]
- 单片集成白光LED技术难度大,目前主要还处于研究阶段2016/11/2 22:18:03 2016/11/2 22:18:03
- 单片集成白光LED技术难度大,目前主要还处于研究阶段,主要有以下几种实现方法。(1)利用波长转换技术实现白光:这种技术是在衬底上依次生长黄光和蓝光量子阱,LM3409HVMYX其中...[全文]
- 多芯片封装白光发光二极管2016/11/2 22:12:32 2016/11/2 22:12:32
- 多芯片封装白光LED是指把两种以上的基色可见光LED封装在一个基片上,通过基LM3404HVMR色光的混合实现白光。其中三基色白光LED的研究最多,通过调整二种颜色LED芯片的I作电流可以调节三...[全文]
- 与同质结LED相比,DH-LED具有以下优势2016/11/1 21:04:53 2016/11/1 21:04:53
- 与同质结LED相比,DH-LED具有以下优势:(1)在超注入、高的电M51978FP子/空穴注入比极高的pP结电子有效势垒综合作用下,能在较小的正向偏压作用(即较小的注入电流密度)...[全文]
- 为什么金属具有良好的塑性,2016/11/1 20:43:06 2016/11/1 20:43:06
- 1.为什么金属具有良好的塑性,而共价晶体一般硬而且脆?2.虽然空间点阵仅可能有14种,为什么M25P40VMN6TPB晶体结构是无限多的?3.分别采用费米能级和载流子...[全文]
- 异质结概念2016/10/31 20:45:21 2016/10/31 20:45:21
- 异质结是指不同材料之间的界面(结),即禁带宽度不同的两种半导体材料结合所形成的晶体界面。含有异质结的两层以上的结构被称为异质结构。AD9833BRMZ相对于同质结,异质结中的两种材料的禁带宽度、...[全文]
- 半导体发光材料条件 2016/10/31 20:38:05 2016/10/31 20:38:05
- 对于半导体发光器件,如需求最大、研究最多的LED,不仅需要考虑材料本身的发光性质,还要求材料具有适合制备LED器件的特别性质。AD9514BCPZ对于.LED等发光器件,对材料的要求主要是:...[全文]
- 通常用表面复合速率Rs表示表面复合快慢2016/10/31 20:36:31 2016/10/31 20:36:31
- 由于俄歇复合系数与载流子浓度的三次方成正比,所以在大注入情况下俄歇复合的影响才比较显著,AD9512BCPZ-REEL7此时俄歇复合成为降低半导体材料发光效率的个重要因素。以上考...[全文]
- 外加电场下半导体的能带图 2016/10/31 20:14:13 2016/10/31 20:14:13
- 在空间电荷区,电势为以豸)处的电子获得附加电势能为由于匹是位置豸的函数,附加电势能也是豸的函数。这个附加电势能与晶体中的周期性势场相比是非常微弱的。AD8544WARZ-R7附加电...[全文]
- 简并半导体及能带 2016/10/31 20:09:36 2016/10/31 20:09:36
- 假定费米能级位于离开带边较远的禁带之中。在这种情况下^,费米分布函数可以用玻尔兹曼分布函数来近似。但在有些情况下,费米能级EF可能接近或进入能带。AD8421ARZ例如在重掺杂半导体中就可以发生...[全文]
- 设想硅晶体中有一个硼原子占据了硅原子的位置2016/10/30 18:02:28 2016/10/30 18:02:28
- 由于电子从施主能级激发到导带所需要的能量一杂质电离能很小,所以施主能级位于导带底之下而又与它很靠近,如图3-17(b)所示。图中几、马和凰分别表示导带底,M9S8LL16C2M60K价带顶和施主...[全文]
- 表征漂移运动的重要参量是迁移率2016/10/30 17:56:47 2016/10/30 17:56:47
- 表征漂移运动的重要参量是迁移率,定义为肟=vd川蚓,只有在低电场、欧姆定律成立M74HC595B1R的情况下,漂移速度正比于电场强度,迁移率才为常数(这时电子在主能谷中漂移)。...[全文]
- 晶体中电子的能念 2016/10/30 17:40:20 2016/10/30 17:40:20
- 由前述对氢分子的分析可知:当两个原子趋近形成分子时,孤立原子的每个能级会分裂成两个能级,M65830BFP即成键能级虽和反键能级凡。这两个能级相对于原子能级风的差值(凤-Es)和(鸟一风)取决于...[全文]
- 金属结合(金属键)2016/10/30 17:31:31 2016/10/30 17:31:31
- 金属键结合的基本特点是电子具有“共有化”运动的导电特征。M62463AFP组成晶体的各原子的价电子脱离原子的束缚,成为在整个晶体内运动的自由电子。由每个原子贡献出的大量自由电子,在整个晶体内会形...[全文]
- 色差与显色性2016/10/29 21:00:17 2016/10/29 21:00:17
- 光源的颜色特性有两方面的意义:一是人眼直接观察光源时所看到的颜色,AAT3221IGV-2.85-T1它的评价方法与物体类似,用计算它的三刺激值和相关色温来描述光源本身的颜色;二是物体在光源照明...[全文]
- 色温与相关色温2016/10/29 20:49:44 2016/10/29 20:49:44
- 由物理学中的知识可知,黑体是完全吸收体和完全辐射体,其辐射的光谱功率分布与温度有着确定的关系。AAT3218IGV-3.3-T1热力学温度为Γ的黑体的波长为兄的辐射,以其在4冗立体角内的辐射能量...[全文]
- 产业概述 2016/10/28 21:00:33 2016/10/28 21:00:33
- 半导体照明是21世纪最具发展前景的高新技术领域之一,将促进世界照明工业的转型及新兴照明产业的崛起,成为转变经济发展方式、提升传统产业、促进节能减排、M16CR5F364V6NFB实现社会经济绿色...[全文]
- 照明电器产品标准简介 2016/10/28 20:48:47 2016/10/28 20:48:47
- 照明设计的实现是靠电光源产品完成的,我国和世界上主要发达国家均将电光源归类到照明电器产品类。K2141我国照明电器产品相关国家标准的快速发展始于⒛世纪80年代初。目前,己经制定出了一套较为完善的...[全文]
- 主要光源的技术经济指标2016/10/27 20:40:18 2016/10/27 20:40:18
- 得1Mlm,h光折合至灯具系统的价格,第二项是获得1Mlm・h光所需电费的价格。注意,IC62LV1024LL-70T上式没有包括维护、有害物处理等费用。表1,1给出了主要光源技术...[全文]
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