与同质结LED相比,DH-LED具有以下优势:

   (1)在超注入、高的电M51978FP子/空穴注入比极高的pP结电子有效势垒综合作用下,能在较小的正向偏压作用(即较小的注入电流密度)下就可维持有源区过剩载流子的高浓度状态,从而保证了内量子效率远高于同质结。

   (2)发光区集中在p型层,且其厚度远低

   于电子的扩散长度,光子再吸收的概率低于同质结。

   (3)P区与N区的禁带宽度均大于发光的

   p区,故p区发出的光子进入到N、P两区后满足透明条件,可以无吸收的传输。由于实际LED中P、N两区的体积远远大于p区,该部分吸收的减少对提高LED的发光效率作用明显。当然,DH结构也有弱点,如p型层的折射率高于N、P两层,形成了光波导效应,仅有反射角小于全反射角的光子才可以折射至N、P两区,这将引起出光效率(也叫光萃取效率)的降低,从而导致DH-LED发光效率的降低。故在设计DH结构时,应考虑使p型层与N、P两层的折射率差不宜过大。该部分内容可参见本书第5.5节内容。