- 电子产品基础知识 2016/8/14 17:50:30 2016/8/14 17:50:30
- 电子产品是利用电子技术和电子工艺将电子元器件等组装而成的产品。例如,通D203S信设备、电视机、计算机、电子测量仪器等。由于电子技术的飞速发展,工艺手段的不断进步,新材料的不断涌现,特别是电子产...[全文]
- LED封装的热阻模型2016/8/13 23:22:17 2016/8/13 23:22:17
- 热量的传递是大自然中普遍存在的一个过程,只要有温差,热量就将以一定的方式自发地从高温物体传向低温物体。AK4641VN热传递有3种基本方式:热传导、对流和辐射。热传导是指物体各部分...[全文]
- 粒径不同时粒子散射光强随角度的分布2016/8/13 22:39:50 2016/8/13 22:39:50
- M忆散射适用于任意直径、任意光AIC1722-33CX学参数的均匀球性粒子。入射平面光可以是偏振光也可以是非偏振光。由理论推导可知,M忆理论的散射图样与粒子粒径、相对折射率和入射光的偏振有关,且...[全文]
- 近场光源的亮度分布 2016/8/12 21:33:00 2016/8/12 21:33:00
- 光源的近场数据一般由影像式分布光度计测量得到。阝]近场分布光度计是全空间分布光度测量的关键,近场分布光度计由分布光度计和具有二维CCD阵列的成像色度计组成,成像色度计能够通过一次取样测得光源或灯...[全文]
- 用交流毫伏表测出电路带负载时的输出电压VoL2016/8/11 21:10:03 2016/8/11 21:10:03
- 放大器的输出电阻定义为从放大器的输出端看进去的等效电阻，它的大PIO32-181KT小表示电路带负载能力的大小。输出电阻越小，带负载能力越强。电路的输出电阻理论值近似等于集电极电阻Rc，晶体管的...[全文]
- 触发设置2016/8/11 21:01:18 2016/8/11 21:01:18
- “TRIGMENU”键：按PIO31-4R7MT下显示触发菜单，常采用边沿触发。选择触发信号源后调节触发电平到最佳位置，就可以定量地显示出稳定单一的波形。使用“自动设置”...[全文]
- 掺杂浓度和载流子的迂移率决定2016/8/10 20:03:33 2016/8/10 20:03:33
- 薄膜电阻率R□的大小由电流扩展层的厚度、掺杂浓度和载流子的迂移率决定,掺杂浓度越大、JST10N65F载流子迁移率越高,则电阻率越小,但是随着掺杂浓度的增加,电离杂质及其引入的缺陷对载流子的散射...[全文]
- 非压焊点电极的条形宽度会因电流扩展层的扩展能力的改变而改变2016/8/9 21:17:37 2016/8/9 21:17:37
- 优化电极不仅要通过改变电极形状来获得较为均匀的电流注入以提高芯片的出光效率,而且还要考虑到不透明电极的遮挡作用,需要在二者之间进行折中取舍。BTBM4-02405-TPF0因电极的光吸光,电流均...[全文]
- 减少了LED表面对光的吸收2016/8/8 20:37:40 2016/8/8 20:37:40
- 通过上述方法获得的微纳米级LED结构一方面表明具有周期性结构的纹理化图形,在很大程度上打破了光在LED表面发生全发射的条件;FM24C256-G另一方面周期性的纹理化结构可以使光在LED表面发生...[全文]
- 侧腐蚀(Sidewall Etching,sWE) 2016/8/8 20:09:03 2016/8/8 20:09:03
- 如图5-23所示为行业内某公司生产小尺寸产品的正面、背面、侧面的光学显微镜照片。从图中可以看到,此款芯片用的是普通的激光正面切割技术,背面镀上了金属作为全方位反射镜层。FGA25N...[全文]
- N电极和盖在透明导电层(ITO)上的P电极焊盘2016/8/7 18:38:29 2016/8/7 18:38:29
- 正装芯片上的反射EP1C4F324C8电极结构一般是在透明导电层上进行,即在ro上或者Ni/Au膜系上。J.Kshcu等人卩刨用非合金(Ag/C〃Au或者Al/C〃Au)的金属膜系作为盖在n~G...[全文]
- 耐高温能力也有较大的差别2016/8/5 20:45:40 2016/8/5 20:45:40
- 耐高温能力也有较大的差别,通常荧光粉在120℃以上开始有衰减,导致LED器件出现光衰。J-L0013因此,如何降低LED芯片表面的温度成为提高LED可靠性的关键。不论是LED芯片的结温,还是LE...[全文]
- 制作金属电极2016/8/5 20:04:30 2016/8/5 20:04:30
- 制作金属电极。通过黄光光刻将金属电极图形转移到晶圆上,然后通过氧气等离子体(o2v1asma)进行去残胶处理,JAGASM-AE保证蒸镀金属前的洁净度,再使真空镀膜机在晶圆上蒸镀层金属电极层,接...[全文]
- 通常采用三次光刻芯片制程2016/8/5 19:59:36 2016/8/5 19:59:36
- 小功率芯片的结构比较简单,制作工艺也相对简单,通常采用三次光刻芯片制程。JA3515-OS-A04这三次光刻分别是MESA光刻、ITo光刻、PAD光刻。详细步骤如下:(1)彻底清洗...[全文]
- 将铝水化层抛离蓝宝石表面2016/8/4 21:06:19 2016/8/4 21:06:19
- HonglinZhu等人的研究表明[13^1钊,在抛光过程中,蓝宝石表面会形成1nm左右的水化层,MLV-150D此水化层为鲍姆石和水铝石,其化学成分为Alo(OH)和Alo(oH)3,对抛光速...[全文]
- 研磨抛光工艺流程2016/8/4 21:04:47 2016/8/4 21:04:47
- 研磨抛光工艺流程如图⒋15所示,其包含上蜡、研磨、抛光、下蜡、清洗等5个主要步骤。MLV-100D对蓝宝石的研磨(grinding)工艺是机械过程,去削速率大,但其对晶片的损伤也大。...[全文]
- 刻蚀效果的主要参数有刻蚀速率2016/8/4 20:39:08 2016/8/4 20:39:08
- 刻蚀效果的主要参数有刻蚀速率、陡直度、选择比、对GaN的损伤等。除了Cb虍α3作MC13213为GaN的刻蚀气体外,也可用Cb与Ar或者Hc等l°l。干法蚀刻Sio2、silNl或者siON通常...[全文]
- 察镀工艺2016/8/3 21:42:04 2016/8/3 21:42:04
- 在GaN基LED芯片制造过程中的蒸镀工艺一般包含用于透明导电层的氧化铟锡(Indium-△n-Oxidc,ITo)、JST6N80F电极焊盘(ElectrodePad)的金属和提高出光分布的布拉...[全文]
- LED芯片结帼及制备工艺 2016/8/3 21:36:09 2016/8/3 21:36:09
- 在衬底上完成外延生长后只是一片外延片,需经过芯片制造工艺后才能制备出具有完整结构的LED芯片。JST2N60U完整的LED芯片结构包含衬底(或者说支撑基板)、N电极、n型区、有源区、p型区、P电...[全文]
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