在GaN基LED芯片制造过程中的蒸镀工艺一般包含用于透明导电层的氧化铟锡(Indium-△n-Oxidc,ITo)、 JST6N80F电极焊盘(Electrode Pad)的金属和提高出光分布的布拉格反射镜(nstributcd Bragg rcacct。rs,DBR)等薄膜的沉积,是LED芯片制造所不可或缺的工艺步骤。

   一般蒸发工艺都需要较高的真空度(压力(1σ5Pa)。在真空环下,给待蒸发物质提供足够的能量以获得蒸发所必需的蒸气压,在适当的温度下,蒸发粒子在基片上沉积形成 薄膜。一般LED芯片制备工艺中,ITo薄膜的制备主要存在3种方式:电子束(E-bcam)蒸发、溅射(spu“cr)沉和和反应等离子体沉积(RPD)。

   图⒋l是电子束蒸发示意图。待蒸发材料放在水冷坩埚内,电子束通过5~10kV的电场后被加速,然后经过磁聚焦或磁弯曲发生偏转(270°或者180°),将能量传递给待蒸发材 料使其蒸发。电子束蒸发方式适合难熔物质的蒸发,同时适合单质和化合物的蒸发,。电子束蒸发ITo以其熔化物雯″  维护简单、工艺成熟、简单可控、易批量生产、 设备成本低而被LED芯片制造广泛采用。