研磨抛光工艺流程如图⒋15所示,其包含上蜡、研磨、抛光、下蜡、清洗等5个主要步骤。 MLV-100D对蓝宝石的研磨(grinding)工艺是机械过程,去削速率大,但其对晶片的损伤也大。

   研磨设备有卧式和立式两种,其工作原理类似,都是用蜡将晶片固定在陶瓷盘或者金属盘上,然后用砂轮对晶片进行减薄。因为采用研磨工艺减薄的速率快,生产中为了减少成本,缩短时间,所以在实际生产中研磨总是将晶片厚度尽可能的减薄,但是研磨中对蓝宝石的

损伤深度一般在15um左右,所以最终要求的晶片厚度值影响着研磨的厚度设定。

   减薄后的蓝宝石衬底背面一方面存在表面损伤层,此层蓝宝石中有大量的裂纹、暗裂,外表看有明显划痕,如图⒋16所示。另一方面其残余应力会导致减薄后的晶片翘曲,引起后续工序中碎裂,因此,必须在减薄后对蓝宝石进行抛光(lapping)处理。衡量抛光效果的主要参数是表面粗糙度[Root Mcan square(RMs)roughness],生产中还要考虑抛光速率(Matcrial Rcmovd Ratc)。影响表面粗糙度和抛光速率的主要因素有转速、压力、温度、抛光液流量、抛光液PH值、抛光介质颗粒的种类,以及粒径大小、颗粒的浓度、抛光垫

性能等。