在衬底上完成外延生长后只是一片外延片,需经过芯片制造工艺后才能制备出具有完整结构的LED芯片。 JST2N60U完整的LED芯片结构包含衬底(或者说支撑基板)、N电极、n型区、有源区、p型区、P电极等。

   经过⒛多年的发展,GaN基LED芯片结构和制备工艺己经呈多样化发展,市场上各家的芯片产品有多种结构,制备工艺和技术也各式各样,但是其芯片制造的基础工艺是一致的。本章介绍芯片制造的基础工艺和GaN基LED芯片结构及其制备工艺。

   芯片制造基础工艺

   GaN基LED芯片制造也属于半导体芯片制造范畴,因此在制造工艺上与半导体芯片制造在原理上是相通的,但同时又具有其独特的特点。不同的芯片结构,其芯片制造的工艺、工序可能各不相同,但是其基础工艺是一致的。概括起来,αN基LED芯片制造具有以下基础工艺:蒸镀、光刻、蚀刻、沉积、退火、研磨、切割、点测、检验等。