制作金属电极。通过黄光光刻将金属电极图形转移到晶圆上,然后通过氧气等离子体(o2v1asma)进行去残胶处理,JAGASM-AE保证蒸镀金属前的洁净度,再使真空镀膜机在晶圆上蒸镀层金属电极层,接着采用蓝膜撕金(liR-off)的方式实现金属电极的最终成型。金属电极层的材料一般是含金或者含铝多层金属膜。常见的金属电极组合方式有Cr/Pt/Au、cr焖i从l等。

   研磨切割。通常2英寸晶圆的厚度有硐0um以上,为了将晶圆切成一颗一颗的晶粒(山ip),先要将晶圆磨薄,磨薄分成两个阶段,第一阶段将晶圆快速减薄到接近目标厚度,第二阶段将减薄的晶圆进行抛光处理,抛光到需要的目标厚度。小功率芯片的目标厚度通常在85~125um。最后将磨薄的晶圆贴在白膜进行切割与劈裂,实现晶圆到晶粒的转变。早期LED芯片切割都是使用紫外激光进行表面烧蚀切割,但目前隐形切割己经逐步取代了紫外激光表面烧蚀切割,隐形切割可以大幅提高芯片亮度。

   点测分选。将完成切割劈裂的晶粒翻转至蓝膜上,进行光电参数测试,通常会测试正向电压(/f),亮度(LOP),主波长(冫‰),峰值波长(%),开启电压(‰),反向电流(再),反向电压(/R),半波宽(HW)等参数。一般做成大圆片的话不需要扩张就可以直接进行点测,点测完成后进行外观检查作业后就可以入库处理。而更高规格要求分成方片的产品,就要先进行扩张再进行点测,点测完成后进行自动外观检查(AOI)作业,然后按照预先设定的分类等级(BIN表)进行分选作业,将相同等级的晶粒挑选到同一张方片,这些方片送质量检测部门检测合格后就入库到成品仓库。至此芯片制程就完成了。小功率芯片结构也有也其他结构,如图⒋21和图⒋22所示。