淀积Si02绝缘层。用PECVD在芯片上表面生长5000A的sio2,用来做后期金电极压焊与器件表面的电绝缘。

   光刻出光孔。JST2N60P先光刻出孔状图形,再用Sio腐蚀液(HF∶NH4F∶比o=3∶6△0)腐蚀去除孔处的s⒑2,露出出光口及欧姆接触区域。腐蚀完成后去胶,用丙酮、乙醇各煮2遍,去离子水冲洗30遍,用N2气吹干。

   制备p型电极。先用反转光刻形成倒梯形胶体,露出的部分为电极形状。接着常温溅射厚度为150A的△和3000A的Au。最后将溅射后的芯片放入丙酮溶液中,超声剥离电极。

   衬底减薄。使用金刚砂将衬底减薄至100um左右,便于解理和减小串联电阻。薄完成用四氯化碳、三氯乙烯、丙酮、乙醇各煮两遍,去离子水冲洗30遍,用N2气吹干。

   淀积n型电极。常温溅射厚度为500A的AuGcNi和3000A的Au。

   合金退火。将芯片在绍0℃下退火40s,以实现良好欧姆接触。

   最后,解理、压焊、封装。进行器件性能的测试表征。

   是RCLED和常规LED的远场强度分布的测试结果,以最大强度的50%为基准,常规LED的视角为109,6°,而RCLED的视角仅为”.6°。可见,如果将RCLED用于POF的光源,可以有效地提高耦合效率。