通过上述方法获得的微纳米级LED结构一方面表明具有周期性结构的纹理化图形,在很大程度上打破了光在LED表面发生全发射的条件; FM24C256-G另一方面周期性的纹理化结构可以使光在LED表面发生多次散射,并且减少了LED表面对光的吸收,提高了光提取效率。而且,因为外延材料被刻蚀成微纳米级的单独的小区域,使得GaN夕卜延层的应力得到一定程度的释放,能带倾斜得到减弱,电子和空穴波函数更靠近,缓解了量子限制斯达克效应(quantum conⅡncmcllt Stark cffcct,QCSE),提高了LED的内量子效率,而且因为应力的释放和QCsE的缓解,LED的波长会产生蓝移(Bluc曲iR)。

   下面是一个研究实例u习:外延生长完毕后,先用PECVD沉积30Ollm厚的si3N4,再用电子束蒸发Ni膜,接着850℃氮气环境RTA退火1min,获得Ni纳米颗粒掩膜,再用RIE在CF4/02作为气体源刻蚀Si3N4,再在Ni/siN4的掩膜下用ICP-RIE复合气体C12/AF50/20sccm作为刻蚀气体源,刻蚀成纳米柱结构。最后用BOE(HF和NH4F的混合溶液)去除№和⒏3N4。从而制备了高密度(3.0×1010cn卩)InGaN/GaN MQW纳米柱LED。制备过程和得到纳米柱LEDSEM照片如图5-34所示,纳米柱的直径在60~10Ollm,高度大于0,28um,纳米柱LED的光致发光(PhotolumillcscCnCC,PL)峰值波长比正常LED蓝移5,1nm,纳米柱LED的PL强度比传统LED高5倍。