硅通子L技术：除了芯片面对面的凸点／焊球键合和从顶层芯片到下面芯片（芯片块）的引线键合外，FM24C256-G还有一种硅通孔( TSV)技术。这个概念很简单，在晶圆创建从顶到底的洞（通孔），，使用光刻／刻蚀和等离子刻蚀。可在晶片制造工艺的前端( FEOL)或后端(BEOL)过程中创建通孔（见图18. 44）。

   图18. 44硅通孔技术示意图（源自：Tessara）

   内插结构：内插结构( interposer)是中间叠层或衬底，允许在封装体内芯片之间或芯片与封装体连接之间有一个额外的连接平面（或多个平面）（见图18. 45）。它们还可以给封装体提供硬度。有机内插结构是具有穿通孔导体的叠层制成的。刚性的内插结构通常是由环氧树脂材料制成的，而柔性的内插结构是由树脂制成的。…i。硅片通过硅通孔作为内插器。在一些方案中，硅片通过硅通孔作为内插结构。