薄膜电阻率R□的大小由电流扩展层的厚度、掺杂浓度和载流子的迂移率决定,掺杂浓度越大、JST10N65F载流子迁移率越高,则电阻率越小,但是随着掺杂浓度的增加,电离杂质及其引入的缺陷对载流子的散射作用会使载流子的迁移率下降;同时,当掺杂浓度很高时,杂质能级在能带结构中引入带尾,增加了扩展层对能量低于带隙的光的吸收作用,而且由于自由载流子吸收、杂质吸收都与掺杂浓度有关,掺杂浓度越高,自由载流子吸收、杂质吸收越严重。另外电流扩展效应虽 然随着电流扩展层厚度的增加而增大,但会逐渐趋于饱和,并且随着电流扩展层厚度的增加,会引起电流扩展层对光的吸收损耗和生长成本的增加。所以在AlGaInP LED结构设计过程中,电流扩展层电阻率要进行优化设计。图⒍I0给出了有、无电流扩展层的A⒗aInP LED结构示意图,有电流扩展层的结构电流扩展效应要明显优于没有电流扩展层的结构,电流在整个器件区分布比较均匀。

   电流扩展层可以用掺杂浓度较高的GaP,也可以采用高透光、高导电率的ITo,使电流均匀地扩展到芯片的各个部分,促进有源区高能量载流子复合发光。TCO[15j因具有高载流子浓度(1020~102△f3)、大的禁带宽度(丬.3cV)而表现出优良的光电特性。透明导电氧化物TCO膜主要包括In、zn、sn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物透明材料。1TO田是目前应用最广泛的透明导电氧化物,在AlGaInP LED及InGaN LED中都有应用。文献[l刀用ITo加0,5um GaP的新结构取代传统的8um厚GaP结构制备的LED,封装后,具有高取光电极的新型薄GaP LED的亮度比传统厚GaP LED的亮度高48%。