如图5-23所示为行业内某公司生产小尺寸产品的正面、背面、侧面的光学显微镜照片。

   从图中可以看到,此款芯片用的是普通的激光正面切割技术,背面镀上了金属作为全方位反射镜层。 FGA25N120ANTD同时可以观察到侧面被激光烧蚀过的区域留下了大量黑色的残留物,这些残留物会强烈的吸收芯片活性区发出的光,造成光损失。

   图5-23 某公司的小尺寸产品

   同粗化的原因类似,因为GaN(刀=25)和空气(刀=l)的折射率相差太大,导致外延层中活性区发出的光因为发生全反射而使得出光角度只有23°左右,大部分光在GaN中多次反射,最终被LED本身吸收变成热量。表面粗化是为了改变LED表面的形貌打破发生全反射的条件、增加出光角锥。侧腐蚀则一方面可以改变LED芯片的形状,使活性区发出 的光能够被提取出;另一方面行业内的侧腐蚀通常搭配普通的激光切割,将激光切割烧蚀过程中在LED芯片侧壁的黑色残留物去除,减少吸光,提高光提取效率。