- 电气规则检查2016/6/29 20:58:26 2016/6/29 20:58:26
- 电气规则检查(E丨ectHca丨RuIesCheck,ERC)电气规则检查用来检查版H431BWN图是否存在违反电气规则的情况。例如,电源线和地线有无短路;电路有没有开路等。...[全文]
- 可靠性评价技术的应用 2016/6/25 22:47:15 2016/6/25 22:47:15
- (TechnologyCharacteHzauonVehic|e,可靠性表征结构)程序按照国军标DAC08CSZ-REEL“合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范”中的附录B中的2.2.3.3T...[全文]
- 电子装联工艺装备的作用,可归纳为下述几个方面2016/6/24 22:27:08 2016/6/24 22:27:08
- 电子装联工艺装备的作用,可归纳为下述几个方面:①电子装联工艺装各是实施电E32-D11子产品制造后端工序自动化最为重要的技术装备和手段。②现代电子工艺装...[全文]
- 可靠性评价的技术特点 2016/6/23 22:13:44 2016/6/23 22:13:44
- 简化模型。在一个ADM1181AARWZ电路中存在着多种失效机理,这些失效机理在电路的工作过程中同时起作用。但对可靠性评价技术来说,同时考虑多种失效机理的作用,将会使问题变得复杂且难以解决,不利...[全文]
- 电浪涌损伤2016/6/23 21:32:38 2016/6/23 21:32:38
- 电浪涌即电瞬变,是过电应力(Elcciical>功率很小,ADM1068AST-REEL但瞬时功率很大,并且电浪涌的出现是随机的,所以对半导体器件带来的危害特别大,轻则引起电路出现逻辑错误,重则...[全文]
- 铝与硅2016/6/22 21:30:16 2016/6/22 21:30:16
- 铝与硅产生的物理机制如下:(1)形成固溶体。铝在硅Q2006VH3中几乎不溶解,而硅在铝中有一定溶解度,在共晶点577℃时达到1.59%(原子比)最大。铝与硅反应是铝先与天然的so...[全文]
- 抗电迁移措施2016/6/21 22:07:45 2016/6/21 22:07:45
- 抗电迁移措施可从设计、工艺、材料芯片表面和覆盖介质膜方面进行考虑。(1)设计。合理进OMI-SS-112L行电路版图设计及热设计,尽可能增加条宽,降低电流密度,采用合适的金属化图形...[全文]
- 电迁移效应的影响因素2016/6/20 21:27:17 2016/6/20 21:27:17
- 布线几何形状的影响。从统计观HBB152-A点看,金属条是由许多含有结构缺陷的体积元串接而成的,则薄膜的寿命将由结构缺陷最严重的体积元决定。若单位长度的缺陷数目是常数,随着膜长的增加,总缺陷数也...[全文]
- 一些半导体制造厂采用穿壁式设备布局来安装设备2016/6/18 20:36:57 2016/6/18 20:36:57
- 一些半导体制造厂采用穿壁式设备布局来安装设备,设备的主要部分位于生产区后面的夹层中,OP2177AR-REEL只有用户界面操作平台和硅片架位于生产线内。为减少颗粒,半导体制造中采用片架在设备间传...[全文]
- 半导体制造使用的气体大都为超纯气体2016/6/18 20:33:51 2016/6/18 20:33:51
- 半导体制造使用的气体大都为超纯气体,气体经过提纯器和气体过滤器去除杂质和颗粒。OP2177ARMZ-REEL气体过滤器大都由聚四氟乙烯制成,也有一些气体过滤器是全金属的(如镍)。这种金属过滤器具...[全文]
- 工艺过程缺陷2016/6/17 21:28:59 2016/6/17 21:28:59
- 工艺过程缺陷。工艺过H12WD4850程缺陷被定义为晶圆表面受到污染或不规则的孤立区域(或点)。这些缺陷经常被称作点缺陷(SpotdefeGt)。在一个电路中,仅仅一个非常小的缺陷就致使整个电路...[全文]
- 氧化层的去除 2016/6/16 21:35:29 2016/6/16 21:35:29
- 在空气中或有氧存在的加热的化学品清洗池中均可产生氧化反应。通常在OP262GSZ-REEL7清洗池中生成的氧化物,尽管很薄(10~⒛nm),但其厚度足以阻止晶圆表面在以后的工艺过程中发生正常的化...[全文]
- 高压水清洗2016/6/16 21:31:03 2016/6/16 21:31:03
- 高压水清洗。对因静OP262GS-REEL7电作用附着的颗粒的去除,是玻璃和铬光刻掩膜版清洗工艺的首要任务,采用的是高压水喷洒清洗。将一注小的水流施加1.38×1y~2.76×10℃a的压力,水...[全文]
- 颗粒去除 2016/6/16 21:14:08 2016/6/16 21:14:08
- 晶圆表面的颗粒大小可由从约50um大变化到小于1um。大的颗粒可用传统的化学浸泡池和相应的清水冲洗除去。OP262GS较小的颗粒被几种很强的力量吸附在表面,所以很难除去。一种是范德华吸引力,它是...[全文]
- 化学气体2016/6/16 20:55:13 2016/6/16 20:55:13
- 除了许多液体工艺过程,半导体晶圆还要使用许多气体来加工。这些气体有从空气中分离出来的,如氧气、氮气和氢气,还有特制的气体,如砷烷和四氯化碳。OP249GPZ化学品一样,气体也必须清洁地传输至工艺...[全文]
- 在集成电路制造技术2016/6/14 20:54:04 2016/6/14 20:54:04
- 铜在硅和s⒑2中都有很高的扩散速率,这会破坏器件的性能。传统的阻挡层金属对铜的阻挡作用不够好,铜需要由一层薄膜阻挡层完全封装起来,EL5372IU这层封装薄膜的作用是加固附着并有效地阻止扩散。对...[全文]
- 离子注入的特点2016/6/12 21:48:06 2016/6/12 21:48:06
- 1)优点离子注入时,衬底的温度较低,可在较低的温度下((750℃)将各种杂质掺入到半导体中,A3245避免由于高温扩散引起的热缺陷。所掺杂质是通过分析器单一地分选出来后注入半导体基...[全文]
- N型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素2016/6/11 17:45:28 2016/6/11 17:45:28
- >原子并构成共价键时,AD7892BR-1多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子,于是半导体中的自由电子数目大量增加,自由电子成为多数载流子,空穴则成为少数载流子。...[全文]
- 集成电路的主要失效机理 2016/6/9 22:48:29 2016/6/9 22:48:29
- 集成电路的失效机理是指集成电路的失效原因,分析集成电路为什么失效,研究它失效的物理、ADG526AKR化学反应过程,以便采取有效措施,消灭或控制这些失效机理的发生。集成电路的失效机理与设计有关,...[全文]
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