在空气中或有氧存在的加热的化学品清洗池中均可产生氧化反应。通常在OP262GSZ-REEL7清洗池中生成的氧化物,尽管很薄(10~⒛nm),但其厚度足以阻止晶圆表面在以后的工艺过程中发生正常的化学反应。这一薄层氧化物隔离了晶圆面与导电的金属层之间的接触。

   有氧化物的硅片表面具有吸湿性,而没有氧化物的硅片表面具有憎水性。氢氟酸是去除氧化物的首选酸。在初始氧化之前,当晶圆表面只有硅时,将其放入盛有氢氟酸(翎%)的池中清洗,以去除氧化物。

   在以后的工艺中,当晶圆表面覆盖着之前生成的氧化物时,用水和氢氟酸的混合溶液可将圆形的孔隙中的薄氧化层去除。这些溶液的强度从100△到10∶7(H20∶HF)变化。强度的选择取决于晶圆上氧化物的多少,因为水和氢氟酸的溶液既可将晶圆上孔中的氧化物刻蚀掉,又可将表面其余部分的氧化物去除。既要保证将孔中的氧化物去除,同时又不会过分地刻蚀其他的氧化层,就要选择一定的强度。典型的稀释溶液是1∶50到1△00。