N型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素,磷原子在取代原晶体结构中原子并构成共价键时, AD7892BR-1多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子,于是半导体中的自由电子数目大量增加,自由电子成为多数载流子,空穴则成为少数载流子。

   掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域,包括N型或P型半导体层和绝缘层,是制作各种半导体器件和IC的基本工艺。经过掺杂,原材料的部分原子被杂质原子代替。材料的导电类型决定于杂质的化合价。掺杂可与外延生长同时进行,也可在其后。例如,双极型硅IC的掺杂过程主要在外延之后,而大多数GaAs及InP器件和C的掺杂与外延同时进行。

   扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要工艺,两者都被用来制作分立器件与集成电路,互补不足,相得益彰。扩散是较早时期采用的掺杂工艺,并沿用至今,而离子注入是20世纪60年代后发展起来的一种在很多方面都优于扩散的掺杂工艺。离子注入工艺大大推动了集成电路的发展,使集成电路的生产进入超大规模时代,是应用最广泛的主流掺杂工艺。