1)优点

   离子注入时,衬底的温度较低,可在较低的温度下((750℃)将各种杂质掺入到半导体中, A3245避免由于高温扩散引起的热缺陷。所掺杂质是通过分析器单一地分选出来后注入半导体基片中去的,可避免混入其他杂质。能精确控制基片内杂质的浓度、分布和注入浓度。能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层。注入杂质是按掩模图形近于垂直入射,横向扩散效应比热扩散小得多,这一特点有利于器件特征尺寸的缩小。另外,化合物半导体是两种或多种元素按一定组分构成的,这种材料经高温处理时,组成可能发生变化。采用离子注入技术,容易实现化合物半导体的掺杂。

   2)缺点

   在晶体内产生的晶格缺陷不能全部消除。离子束的产生、加速、分离和集束等设备价格昂贵。制作深结时要求的能量太高,难以实现,要注入高浓度时效率低。因此,高浓度深结掺杂一股仍采用高温热扩散方法。