(Technology CharacteHzauon Vehic|e,可靠性表征结构)程序按照国军标 DAC08CSZ-REEL“合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范”中的附录B中的2.2.3.3TCV程序:承制方应对考虑认证的技术或工艺执行TCV程序。DAC08CSZ-REEL该程序应至少包括必需的测试结构,用这些测试结构来表征工艺对固有可靠性失效机理的敏感度。这些失效机理有电迁移(Elcc“omigration,EM)、与时间有关的介质击穿(△me Dcpcndcnt Dielecthc Brcakdom,TDDB)、栅沉欧姆接触退化、侧栅/背栅和热载流子效应(Hot CaⅡier珂ection,HcI)。如果随着集成电路技术不断成熟而发现其他的失效机理,应将新的失效机理的测试结构增加到TCV程序中。

   TCV程序应用于技术认证、可靠性监测、辐射加固保证和监测(适用时)、更改控制,也用于快速测试,表征器件的固有可靠性。首次认证时,应针对每一失效机理采用足量的TCV坝刂试结构进行加速寿命试验。对于待认证的制造设施,TCV测试结构应从3个相同工艺的晶圆批中随机抽取(该3个晶圆批应从待认证的工艺中制造),数量均匀分配,这些晶圆应己通过了晶圆或晶圆批验收。在最坏工作条件和电路版图符合设计规则的情况下,加速寿命试验将对每种失效机理给出平均失效时间(Mcan△mc To Failurc,MTTF)的估计和失效时间的分布。从MTTF和失效时间的分布可以预测最坏情况失效率。测试结构应来自己钝化的晶圆。加速寿命数据和分析的摘要应供鉴定机构评审。首次认证的MTTF、失效分布和加速因子将用做后续工艺TCV结果的比对基准,包括评价激活能,基于电压、温度、频率等的加速因子,长期可靠性,已知的失效机理和对策。