所有TCV测试结构应采用与工艺中标准电路相同的封装材料和组装工艺进行封装。 DAC08EP在某些情况下,TCV坝刂试结构不能按上述要求进行封装时,可以将TCV封装在合适的外壳中来评价待认证的芯片工艺,而此外壳不能影响试验的结果。

   TCV结构不需使用鉴定过的外壳,因为己鉴定外壳的引线数将远超过研究固有可靠性所需外壳的引线数目。如果承制方能够提供晶圆级和封装级加速寿命试验结等效的数据,鉴定机构可以对TCV的封装不做要求。例如,封装TCV坝刂试结构需要考虑陶瓷外壳中氢含量及其对热载流子退化的影响。众所周知,MOs器件中存在的氢能加剧热载流子退化效应。如果器件钝化层不含有足够的氢以等效陶瓷封装中残留的氢,则对封装与非封装器件,用于热载流子效

应的寿命试验结果会有明显差别。对特定机理的TCV结构至少应说明以下要求:

   热载流子退化(HCI)。TCV应使用能监控QML(Quali丘cd ManufacturcrⅡsting,合格制造厂目录)器件所用的工艺的热载流子退化的结构。用线性跨导下降和阈值电压的漂移来表征器件性能的退化,对于工艺的最小沟道长度和允许的宽度,抗热载流子退化是基于那个参数经历承制方所规定的退化极限。对于热载流子退化敏感的工艺,应确定晶圆级快速试验筛选方法。

   ①MOs,对于工艺中所用的每个标称阈值电压的MOs晶体管,TCV应具有表征热载流子退化效应与沟道长度的函数关系的结构。

   ②双级,应具有表征双极工艺中二极管的热载流子退化效应的结构。