电迁移(EM)。TCV应具有表征最坏情况金属电迁移的结构:

   ①表面平整化;

   ②最坏情况非接触性结构;

   ③导电层间的连通;

   ④衬底接触。

   应根据工艺允许的最坏情况的电流、温度和DAC08EPZ版图几何结构确定电迁移的电流密度和温度加速度,以及中位失效时间(MTTF)和失效分布。通过MTTF和失效分布,可以计算出电迁移的失效率。

   与时间有关的栅介质击穿(TDDB)。TCV应包含表征栅氧TDDB的结构。应具有表征栅氧面积和周长的测试结构。应使用不同周长的栅结构,以表征栅与源或漏交叠边界,以及栅与晶体管和晶体管之间隔离氧化层交接边界的介质特性。应根据工艺允许的最坏情况电压条件和最薄的栅氧化层厚度确定TDDB的试验电场强度和温度加速因子,获得MTTF和失效分布,从MTTF可以计算TDDB的失效率。

   TCV快速测试结构要求。TCⅤ程序应包括用于评价热载流子退化的快速可靠性测试结构,以便得到快速测量与加速寿命试验结构之间的关系。