器件的有源区形成后,接下来就OP220GS-REEL是N阱和P阱的制作。在圆片表面涂覆光刻胶,采用2#光刻版曝光显影后,N阱区域的光刻胶被去掉。接着进行离子注入,如图4.5所示。首先高能大剂量离子注入N型杂质磷(P),剂量为1013量级,形成N阱。接着以较低的能量离子注入砷(As),剂量为1012量级,此步骤的注入是为了防止PMOs源漏之间的穿通(Punch through)。最后低能量离子注入As,剂量为1011量级,此步骤的注入是为了调节PMOS的开启电压。

   图45 N阱离子注入

   完成N阱离子注入后,去掉光刻胶。接着采用3#光刻版进行P阱光刻,随后进行离子注入,如图4.6所示。首先高能大剂量注入硼(B),剂量为1013量级,此步骤离子注入形成P阱。接着以较低的能量注入离子B,剂量约为1012量级,此步骤的注入是为了防止NMOS源漏之间的穿通。最后低能量离子注入B,剂量为1011量级,此步骤的注入是为了调节NMOs的开启电压。N、P阱3次注入的能量与剂量均从高到低,浓度分布自硅片表面往下从低到高,这种阱称为倒退阱(Rc饣ogradcwe11)。