工艺过程缺陷。工艺过H12WD4850程缺陷被定义为晶圆表面受到污染或不规则的孤立区域(或点)。这些缺陷经常被称作点缺陷(Spot defeGt)。在一个电路中,仅仅一个非常小的缺陷就致使整个电路失效。这样的缺陷被称为致命缺陷(翔llcrdcfcGt)。遗憾的是,这些小的孤立缺陷不一定在晶圆生产过程中能够被检测出来。在晶圆电测时它们会以拒收芯片的形式表现出来。

   这些缺陷主要来源于晶圆生产区域涉及到的不同液体、气体、洁净室空气、人员、工艺设备和水。微粒和其他细小的污染物寄留在晶圆表面或内部。这些缺陷很多是在光刻工艺时造成的。光刻工艺需要使用一层很薄、很脆弱的光刻胶层,以便在蚀刻工艺中保护晶圆表面。在光刻胶层中任何由微粒造成的空洞或破裂将会导致晶圆表层细小的蚀刻洞。这些洞称为针孔(Pinho1c),是光刻工艺需要关注的主要方面。因此经常需要检查晶圆受污染的程度,通常在每个主要工艺步骤之后做此类检查。缺陷密度超出允许值的晶圆将会被拒收。sIA的国际半导体技术路线图(ITRs)要求300mm晶圆表面每平方厘米0.68个最大缺陷密度。