耐高温能力也有较大的差别,通常荧光粉在120℃以上开始有衰减,导致LED器件出现光衰。 J-L0013因此,如何降低LED芯片表面的温度成为提高LED可靠性的关键。不论是LED芯片的结温,还是LED芯片的表面温度都是受LED器件整体散热系统的影响。有效地解决LED芯片的散热问题,对提高LED器件的可靠性和寿命具有重要作用。要做到这一点,最直接的方法莫过于提供一条良好的导热通道,让热量从pll结往外散出。在芯片的级别上,与传统正装结构以蓝宝石衬底与金线作为散热通道相比,倒装焊芯片结构有着较佳的散热能力。  

    倒装技术通过共晶焊将LED芯片倒装到具有金属热沉的支架上,倒装芯片的大面积金属焊盘,与支架上的金属块构成导热系统,导热性能良好,明显提高了LED芯片的散热能力,保障LED的热量能够快速从芯片中导出。

   另外,抗静电释放(ESD)能力是影响LED芯片可靠性的另一因素。蓝宝石衬底的蓝绿芯片其正负电极均位于芯片上面,间距很小;对于InGaN/AlGaN/GaN双异质结,InC1aN活性区厚度仅几十纳米,对静电的承受能力有限,很容易被静电击穿,使器件失效。为了

防止静电对LED芯片的损害,倒装芯片封装过程中可以加入齐纳保护电路。即在封装过程中通过并联一颗齐纳芯片来提高ESD防护能力。如果倒装芯片是倒装在硅衬底上,那么通过在硅衬底内部集成齐纳保护电路的方法,也可以大大提高LED芯片的抗静电释放能力,

同时节约封装成本,简化封装工艺,并提高产品可靠性。