单片集成白光LED技术难度大,目前主要还处于研究阶段,主要有以下几种实现方法。

   (1)利用波长转换技术实现白光:这种技术是在衬底上依次生长黄光和蓝光量子阱, LM3409HVMYX其中黄光量子阱生长在p-n结之外,将其作为波长转换器,电流只注入到蓝光量子阱,发出的蓝光激发黄光量子阱发射黄光,两色光混合得到白光。该方法得到的电致发光谱强度需要进一步提高。单芯片波长转化白光LED结构如图⒋32(a)所示。

   (2)基于键合技术的白光发光二极管:这种方法是由蓝光基色芯片和其他基色芯片键合在一起混光形成白光。一种方法是将分别制备的蓝光基色芯片和红光基色芯片发光面之间蒸镀ITo层,然后经过键合、减薄GaAs衬底、光刻、刻蚀及溅射金属电极,制备成白光发光器件。其中,蓝光基色芯片有一个n电极,红光基色芯片有一个p电极,当测试电流流过这两个电极时,红光LED和蓝光LED同时发光,得到白光。键合形成自光芯片如图⒋32(b)所示。