半导体发光材料条件
发布时间:2016/10/31 20:38:05 访问次数:2533
对于半导体发光器件,如需求最大、研究最多的LED,不仅需要考虑材料本身的发光性质,还要求材料具有适合制备LED器件的特别性质。AD9514BCPZ对于.LED等发光器件,对材料的要求主要是:
(1)直接带隙半导体。直接带隙半导体中导带底的电子可直接跃迁到价带顶与空穴复合,所以跃迁概率大,发光效率高,适合用于发光材料和器件;而间接带隙导带底和价带顶的空穴发生跃迁需要声子参与以保持动量守恒,这种跃迁是二级微扰过程,所以跃迁概
率小,不适合用于发光材料和器件。
(2)合适的禁带宽度。发光材料中电子一空穴对最大概率的跃迁应于导带底到价带顶的跃迁,所以LED发射的光子能量约等于有源区半导体材料的禁带宽度。LED发光波长龙(nm)和半导体材料禁带宽度几(cV)的关系为:
制备特定波长的发光器件,首先需要选择特定禁带宽度的半导体材料。如图3。”所示,GaAs带隙为1.42cV,是传统的红外LED发光材料。而制备蓝光LED,对应有源区半导体 材料的禁带宽度应在2,8cV左右,所以既无法利用ⅡI族砷化物和磷化物,也无 ‘法直接用利用GaN材料作LED的有源层。
对于半导体发光器件,如需求最大、研究最多的LED,不仅需要考虑材料本身的发光性质,还要求材料具有适合制备LED器件的特别性质。AD9514BCPZ对于.LED等发光器件,对材料的要求主要是:
(1)直接带隙半导体。直接带隙半导体中导带底的电子可直接跃迁到价带顶与空穴复合,所以跃迁概率大,发光效率高,适合用于发光材料和器件;而间接带隙导带底和价带顶的空穴发生跃迁需要声子参与以保持动量守恒,这种跃迁是二级微扰过程,所以跃迁概
率小,不适合用于发光材料和器件。
(2)合适的禁带宽度。发光材料中电子一空穴对最大概率的跃迁应于导带底到价带顶的跃迁,所以LED发射的光子能量约等于有源区半导体材料的禁带宽度。LED发光波长龙(nm)和半导体材料禁带宽度几(cV)的关系为:
制备特定波长的发光器件,首先需要选择特定禁带宽度的半导体材料。如图3。”所示,GaAs带隙为1.42cV,是传统的红外LED发光材料。而制备蓝光LED,对应有源区半导体 材料的禁带宽度应在2,8cV左右,所以既无法利用ⅡI族砷化物和磷化物,也无 ‘法直接用利用GaN材料作LED的有源层。
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