基于键合技术的白光发光二极管:这种方法是由蓝光基色芯片和其他基色芯片键合在一起混光形成白光。LM3409MY一种方法是将分别制备的蓝光基色芯片和红光基色芯片发光面之间蒸镀ITo层,然后经过键合、减薄GaAs衬底、光刻、刻蚀及溅射金属电极,制备成白光发光器件。其中,蓝光基色芯片有一个n电极,红光基色芯片有一个p电极,当测试电流流过这两个电极时,红光LED和蓝光LED同时发光,得到白光。键合形成自光芯片如图⒋32(b)所示。

   利用有源层InGaN形成量子点获得白光:这种方法的原理是利用InGraN层的应力导致InGaN量子阱出现较多的富In量子点,这些量子点出射不同波长的光混合得到白光,缺点是量子点难控制,并且做成的器件的性能和重复性都不好。

    将杂质掺入蓝光多量子阱有源区发光:例如把碳原子注入到InGaN/GaXT多量子阱LED中,蓝光和碳原子杂质发出的黄光混合得到白光。采用这种方法的缺点是杂质原子的掺杂困难,效率不高。