由于俄歇复合系数与载流子浓度的三次方成正比,所以在大注入情况下俄歇复合的影响才比较显著, AD9512BCPZ-REEL7此时俄歇复合成为降低半导体材料发光效率的―个重要因素。

   以上考虑的是半导体体内的复合过程,实际上半导体表面发生的复合过程也不可忽视。表面复合发生在半导体材料的表面,其产生的机制与体内复合并无差异。在半导体材料表面晶格的周期性被破坏,表面悬键、杂质等缺陷在禁带形成复合中心能级尻,表面复合属于深能级缺陷辅助的非辐射复合。一般可以把表面复合当作近表面的―个非常薄的区域内的体内复合处理,只是它的复合中心密度很高。

   通常用表面复合速率Rs表示表面复合快慢,单位时间内在单位表面积复合的电子-空穴对数称为表面复合率。实验发现,表面复合率与表面处的非平衡载流子浓度⒁刀)s成正比, 即 非平衡载流寿命负为 由上式可见,表面复合过程中非平衡载流子寿命由表面复合速率决定,而表面复合速率主要受半导体表面的物理性质和环境的影响。为了抑制表面复合,一般通过工艺处理半导体表面,钝化表面悬键,阻止气体等外来杂质的吸附,以得到稳定的半导体表面,提高

器件的性能。