静电主要由摩擦或感应产生的,静电放电(Elcc饣o-static Dls曲argc,EsD)损伤是半导体器件面临的一个基本问题,LED亦不例外。

   LED在制造、筛选、测试、包装、储运及AN8806SBM安装使用等各个环节都将受到静电的影响,静电若得不到及时释放,将在LED电极上形成静电高压,当该电压超过LED的最大承受值后,聚集在LED上的静电电荷将以极短的时间(纳秒量级)'在LED芯片电极之间放电,瞬态的能量将对p-n结形成致命性的不可恢复损伤,使LED器件漏电或短路失效。

   LED抵抗ESD损伤的能力与半导体材料性质有关。G献s基红、黄光LED衬底材料的导电性能好,当遇到静电电荷时候能较容易将其释放掉,故抗静电能力较好。蓝宝石衬底的GaN基蓝、绿光LED的衬底电绝缘,易于积累静电电荷;且电极在芯片同一侧,电极之间的距离很小,特别容易被静电放电击穿。

   对LED器件一般要进行芯片抵抗ESD能力测试。一般有两种模式,人体放电模式(Human bo灯mOdCl,HBM)和机器放电模式(Machinc model,MM),两种模式的测试原理如图⒋38所示。