人体放电模式是模拟因在地面走动摩擦或其他因素在人体上累积的静电,当去触碰到LED芯片时,人体上的静电便会传递给芯片,如图4-38(a)所示。AT24C08N-SI2.7此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流c机器放电模式的EsD是模拟机器(例如机械手臂)本身累积了静电,当此机器碰触到LED芯片时,该静电便传递给芯片,如图4-38(b)所示。囚为机器是金属,其等效电阻近似为0Ω、等效电容约为⒛OpF。由于机器放电模式的等效电阻为0,故其放电的过程更短,在几毫微秒到几十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生。

    同样的测试电压下,机器模式比人体模式的放电电流大很多,因此机器放电模式对LED芯片的破坏力更大。经验表明,为达到近似的效果,人体模式下的测试电压需要为机器模式下的8~10倍。

随材料质量和芯片工艺的不管提高,GaN基LED的抗ESD能力己大为进步。人体模

   式测试条件下,己从初期的500V提高到了⒛O0~ωOOV,最高可达8000V。尽管LED芯片的抗ESD能力已得到大的提高,但在芯片的制造、测试、运输、包装乃至封装、使用过程中仍需注意静电的防护。主要措施包括:①生产测试车间应铺设防静电地板并做好接地;②生产机台、I作台应为防静电型,且接地良好;③操作员应穿防静电服、带防静电手环、手套或脚环;④工作面处应配备离子风扇;⑤焊接电烙铁需接地;⑥包装应采用防静电材料。⑦高端应用的LED应并联齐纳二极管,防止静电损伤。