同质结发光二极管具有结构简单
发布时间:2016/11/1 20:56:10 访问次数:1964
同质结发光二极管具有结构简单、制作容M48T02-100PC1易等优点,但现在几乎不再实际使用,主要原因如下:
正向偏压下的过剩少子将会继续扩散,其程度由电子扩散长度Ze与空穴扩散长度‰决定。通常扩散长度远大于耗尽区厚度,造成有源区内过剩载流子浓度难以提高。内量子效率的式(3,“)可以改写为公式(4,12):
式中,△为内量子效率;/为间接复合系数、B为辐射复合系数、C为俄歇(Augcr)复合系数。俄歇复合是指电子和空穴复合后将能量转移给另一个电子并使该电子跃迁至更高能级的过程,属于非辐射复合,通常发生在高注入载流子密度状态下;间接复合
(Sho次lcy-Hall-Rcad,简称SHR复合)则是通过禁带中央附近的复中心而发生的复合,也属于非辐射复合。室温下,常用的直接带隙Ⅲ-V族半导体材料的辐射复合系数B为109~1011Gm3/s,远大于间接带隙半导体材料的辐射复合系数,见表41。由式(4。⒓)可知内量子效率正比于辐射复合率及载流子浓度的平方,而同质结发光工极管有源区过剩载流子浓度较低,致使其内量子效率很低。
表41 常用半导体材料的参数
同质结发光二极管具有结构简单、制作容M48T02-100PC1易等优点,但现在几乎不再实际使用,主要原因如下:
正向偏压下的过剩少子将会继续扩散,其程度由电子扩散长度Ze与空穴扩散长度‰决定。通常扩散长度远大于耗尽区厚度,造成有源区内过剩载流子浓度难以提高。内量子效率的式(3,“)可以改写为公式(4,12):
式中,△为内量子效率;/为间接复合系数、B为辐射复合系数、C为俄歇(Augcr)复合系数。俄歇复合是指电子和空穴复合后将能量转移给另一个电子并使该电子跃迁至更高能级的过程,属于非辐射复合,通常发生在高注入载流子密度状态下;间接复合
(Sho次lcy-Hall-Rcad,简称SHR复合)则是通过禁带中央附近的复中心而发生的复合,也属于非辐射复合。室温下,常用的直接带隙Ⅲ-V族半导体材料的辐射复合系数B为109~1011Gm3/s,远大于间接带隙半导体材料的辐射复合系数,见表41。由式(4。⒓)可知内量子效率正比于辐射复合率及载流子浓度的平方,而同质结发光工极管有源区过剩载流子浓度较低,致使其内量子效率很低。
表41 常用半导体材料的参数
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