倒装结构芯片(FC,FⅡ Chip)与正装芯片的区别是由芯片背面朝上出光,即蓝宝石衬底表面出光(图5-28所示),而p型G洲层则变成了光反射面,其底部常装有反光的p极触片。 K3RG2G20BM-MGCH倒装芯片是用倒装焊的方式将分离开的芯片分别倒扣焊接在新的衬底(一般为硅衬底)表面,p型GaN外延层和n型GaN外延层表 面分别制作出共晶焊的金导电层和及引出导线 n极触片= MQW发光层。倒装结构的特点是外延层直接与新衬底(硅)接触,新衬底具有导电性和更高的热导率(1翎Wm lK1)可以为芯片提高电流驱动电路、保护电路和散热通等。同时,倒装后蓝宝石 衬底朝⊥,成为出光面,而蓝宝石是透明的,   图5~28能够获得更多的有效出光。p型GaN夕卜延层表 面的金属反光层能够将有源层向下发出的光反射向上,通过出光面向外发射,而提高了芯片的出光效率。倒装结构芯片虽然采用了热导率良好的新衬底,出光效率也有了较大的提高,但是实际芯片的导热能力还受焊点的焊接质量和焊接面积影响。并且倒装结构GaN基芯片仍然是横向结构,还存在电路拥挤现象,这限制了驱动电流的进一步提升。倒装结构的封装基于倒装焊技术,在传统LED芯片基础上减少了引线键合工艺,省去了导线架和打线,仅通过芯片搭配荧光粉和封装胶使用,减小了封光发射 装体积,简化了LED器件设计。