峨为与材料尺寸、热导率、初始边界条件相关的量。表4.10为计算得到的各层扩展热阻值及各参数值.

   表中伤、乙分别AN7805为由图⒋37和表⒋9所示方形芯片和方形热沉模型等效为园模型后的芯片与基板的有效半径。RΨc乃忉为芯片黏结层(Ⅱc attach l呷cr)在铜线路层的扩展热阻。当取热对流系数纩15W/m2K、热导率肛20W/lnIC时,可以计算得到铜线路层在陶瓷基板的扩展热阻Rˇa。铜电路层和陶瓷层的总扩展热阻为5.871灼W,该陶瓷COB封装的LED器件的总热阻为体热阻与扩展热阻之和,为7.11刃W。而表⒋7所示的各层总的体热阻为1.z KjW。该器件的总热阻为8,35KrW。由此可见,陶瓷基板的扩展热阻是影响系统热阻

的主要因素。关于扩展热阻的详细求解分析可参考文献[8、9]。

4.6,7 抗静电特性静电主要由摩擦或感应产生的,静电放电(Elcc饣o-static Dls曲argc,EsD)损伤是半导体器件面临的一个基本问题,LED亦不例外。

    LED在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等各个环节都将受到静电的影响,静电若得不到及时释放,将在LED电极上形成静电高压,当该电压超过LED的最大承受后,聚集在LED上的静电电荷将以极短的时间(纳秒量级)'在LED芯片电极之间放电,瞬态的能量将对p-n结形成致命性的不可恢复损伤,使LED器件漏电或短路失效。