超高真空化学气相沉积技术发展于⒛世纪80年代末,是指在气压106Pa以下的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程,特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。 H9TP32A4GDBCPR-KGM与传统的气相外延不同,UH平CVD技术采用低压和低温(500~ω0℃)生长,能够有效地减少掺杂源的固态扩散,抑制外延薄膜的三维生长。例如,在硅单晶表面生长si或s￡c合金外延薄膜,传统的气相外延以⒏α4为硅源,需要在大气压力和高温(约110O℃)下进行反应。UHⅥCVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下,反应气分子能够直接传输到衬底表面,不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用,沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中,气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面,薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此,在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的,这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。