气体供给系统前驱体反应气,包括Ⅲ族金属有机化 H9TP26A8JDACNR-KGM合物、V族氢化物及掺杂源等一般放置于不锈钢瓶中(见图5-12位置①)。

   反应室和加热系统 MOCVD系统反应室由石英管和石墨基座组成(见图中位置②、③和④),加热方式采用高频感应加热。反应室的结构对制备组分均匀的高质量外延薄膜起到至关重要的作用,因此在当前的MOCⅤD系统设各制造中对反应室有不同的结构设计。石墨基座由高纯石墨制成,并包覆⒏C层。

   与其他外延生长技术相比,MOCVD适用范围广泛,能够制备大部分的化合物及合金半导体,目前已经被广泛地用于LED外延片的制造中。MOCVD生长易于控制外延薄膜厚度,适宜于生长各种异质结构的材料,能够制备大面积均匀性良好的薄膜。