表5.2给出了典型的元素半导体和二元化合物半导体及其在300K时的禁带宽度。禁带G16V8L25BHY/VC宽度(带隙)是半导体一个重要的特征参量,其大小取决于半导体的能带结构。对于C、si、Gc和Sn元素半导体而言,禁带宽度随着原子序数的增加而减小。二元化合物半导体 具有很宽的禁带宽度范围,其能带结构大部分属于直接跃迁型,因此电光转换效率高可以作为半导体激光器和发光二极管。具备大的禁带宽度是制备高温与大功率半导体器件所必需的条件。禁带宽度的大小实际上反映了价带中电子的被束缚强弱程度,是产生本征激发 所需要的最小能量。GaN和siC由于价键的极性强,对价电子的束缚较强,因此它们具有较大的禁带宽度(300K时的禁带宽度分别为3,39cV和2.99cV),属于宽带隙半导体材料(刀P23CV)°

   表51 组成化合物半导体的化学元素