KIm等研究了正硅酸盐荧光体Mc2so4∶0.01Eu2+(Mc=Ca,Sr,Ba)发射光谱的温度依赖特性。 AD8604AR随温度升高,S。s⒑4∶Eu2+的两个发射带表现出正常的发射峰红移、发射光谱宽化及发光强度下降;而Ca2si04∶Eu2+和Ba2sio4∶Eu2+贝刂表现出反常的发射峰蓝移。Ca2s⒑4∶Eu2+、sr2s⒑4∶Eu2+和Ba2so4∶Eu2+的结构相同,晶格常数按Ca→⒌→Ba的顺序增大,在晶格中存在两种阳离子格位。在Mc2S⒑4∶Eu2+中,E`+离子也存在两种格位,因而,有两个发光带:EuI和EuⅡ。在⒏2so4∶Eu2+中,Eu1发光带位于短波区,一般在仰Onm附近,和激发光谱重叠。EuⅡ发光带位于长波区;而对C锄So4∶Eu2+和Ba2s⒑4∶Eu2+来说,这两个发光峰在500nm左右重叠。因此M2s⒑4∶Eu2+荧光体的光谱看起来仍是显著的单一发射特征。

   Kang等采用喷雾热解法合成(Ba,⒏)2s⒑4∶Eu荧光体,添加5%的NH4α,会使Ba14::Sr05S⒑4∶Eu0012在41Onm激发下的发光亮度提高50%以上。NH4Cl的加入,降低了热处理温度,使Ba14::s幻5Sio4∶Eu0012的粒径增大,平均粒径不大于5um,同时促进了Ba1鲳:sr05S⒑4∶Eu0012的晶化。Hong等研究了在UV紫外光激发下,s勿So4∶Eu2+和Mg01Sn9S⒑4∶Eu2+的发光特性,发现Sr2s⒑4∶Eu2+发射峰有两个分别位于473nm和535nm;而Mg01sh9S⒑4∶Eu2+的发射峰位于45%m和564nm。